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{{技能RAM
|ID=60286
|简体中文名=浮空抗性1
|繁体中文名=浮空抗性1
|日文名=ライジング抵抗Ⅰ
|英文名=Launch Resist I
|效果说明=浮空抗性提升25%
|种类=抗性强化
|能量使用量=25
|所需以太结晶=150
|结晶化=90
|技术书=人造异刃开发记录
|JS=TRUE
|JK=TRUE
|JD=TRUE
|外观变更=
}}

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